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英國科學家正研發一種新式的“內存”芯片

2020-02-21 15:07:11 來源:快科技 點擊:667

【大比特導讀】此前外國媒體報道稱,英國的科學研究工作人員找到一種新式的“內存”,這類新材料做成的內存芯片具有三大特性——超低能耗、寫入不毀壞數據、非易失性。

2020 年美光三星等企業會發布新一代的DDR5內存,最高速度達到 6400 Mbps,將逐漸替代DDR4 內存。

如今的DRAM內存技術還要更新,可是技術性短板也逐步顯著,科學研究工作人員已經在找尋新的內存取代技術,英國就找到新方位——全新升級內存延遲可低至10 ns ,功耗僅為現在的1%。

內存芯片

很多年來大家一直在尋找極致的內存芯片,它既需要低延遲、高帶寬 ,還要功耗低(不用經常更新),另外還得容量大,低成本,更關鍵的是具有關閉電源不損害數據的功能,能夠說成是NAND閃存及DRAM內存的完美體。

那么多需求,做起來可真的不容易,Intel的傲騰內存是根據PCM相變內存技術的,在可信度、延遲等難題上早已大幅度領跑如今的閃存,更貼近DRAM內存芯片了,但是跨越內存還達不上。

此前外國媒體報道稱,英國的科學研究工作人員找到一種新式的“內存”,它應用的是III -V族原材料,主要是InAs砷化銦和AlSb銻化鋁 ,用這種原材料做成的NVDRAM非易失性內存具有出色的功能,在一樣的性能下電源開關能量足足低了100 倍,換句話說功耗只有目前DRAM內存的1%,另外延遲還可低至10 ns 。

總而言之,這類新材料做成的內存芯片具有三大特性——超低能耗、寫入不毀壞數據、非易失性,其性能對比 如今的DRAM內存反而沒多少提高,10 ns 級別的延遲跟DDR4內存類似,可是上邊三條特性,特別是非易失性就足夠讓“內存”改革了。

但是也無法開心過早,英國產品研發工作人員如今僅僅找到新一代III -V原材料內存的基礎理論方位,真正大規模性生產制造這類內存還是很困難的事,就好像傳了好長時間的MRAM、PCM、RRAM芯片一樣 。

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